海外公司技術先進，國內增長潛力巨大

　　分立器件比在全球半導體市場中占比5%~6%，2016 年市場規模 194 億美元。分立器件與集成電路相對，由于不受原件面積限制，單個器件特性好，使用更為靈活，尤其是高功率場合，分立器件依然發揮著重要作用。WSTS 預計全球增速將保持在 3%-4%，2018 年市場規模超 200 億美金，中國市場增速將超過 10%。

全球半導體分立器件市場規模及增長率（百萬美元）

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　　第一代Si 基器件仍占主流。依據分立器件所使用材料，可以分為三代，第一代半導體材料為硅單質（Si），第二代半導體材料為砷化鎵（GaAs），第三代半導體材料是以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石、氧化鋅（ZnO）為代表的的寬禁帶半導體材料。因硅單質較為常見，且具有規模經濟，制造成本低，技術門檻極低，目前市場主流的功率半導體器件仍由 Si 器件占據。二代、三代材料則是未來趨勢，目前在高端應用中有使用。

三代半導體材料發展趨勢

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　　第三代 SiC 、GaN 器件潛力巨大 。SiC、GaN 功率器件比 Si 器件具有更低導通電阻及更高切換速度，具有高耐壓、低損耗、高導熱率等優異性能，有效實現電力電子系統的高效率、小型化和輕量化。SiC 功率器件的能量損耗只有 Si 器件的功率 50%，發熱量也只有 Si器件的 50%；且有更高的電流密度。在相同功率等級下， SiC 功率模塊的體積顯著小于 Si功率模塊,以智能功率模塊 IPM 為例，利用 SiC 功率器件，其模塊體積可縮小至 Si 功率模塊的 1/3～2/3。

Si/SiC/GaN 關鍵性能對比

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Si/SiC/GaN 適用頻率和功率

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　　元器件類型方面，IGBT 為目前最為熱門的功率半導體器件 ，是 光伏 、 風力發電以及新能源汽車中將直流電轉換為交流電的逆變器 之 核心部件 。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）應用涉及中低電壓的消費電子、家電產品、新能源汽車領域，以及高電壓的光伏太陽能、風電、軌道交通、智能電網領域。預計大規模應用包括高鐵動車組以及新能源汽車的電力驅動系統、車載空調系統以及充電樁。

不同材料的功率模塊市場預測（百萬美元）

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　　海外廠商占據中高端市場。分立器件高端廠商主要應用為汽車，其次為工業及消費電子。海外高端廠商多憑借第三代半導體材料技術，占據中高端市場，目前分立器件中高端生產商集中分布在歐美、日本及中國臺灣地區，歐美、日本多為 IDM 廠商，我國臺灣多為 Fabless廠商。

　　SiC/GaN方面，大陸起步時間晚尚在追趕。SiC 關鍵技術由海外公司壟斷，CREE 占SiC 晶元制造市場 90%以上，CREE 和英飛凌在 SiC 功率器件市場合計占 85%以上份額。此外，ROHM 和意法半導體等公司也在積極進軍 SiC 市場。相比于美國 CREE 公司于 2003年推出 SiC 產品，大陸公司起步晚，技術相對落后。直到 2015 年初，泰科天潤才首次實現了碳化硅肖特基二極管的量產，目前大陸 SiC 產業規模與海外相比尚有較大差距。

SiC/GaN 功率器件商業化應用時間

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　　IGBT方面，海外廠商為主流，高鐵應用中國有突破。盡管中國功率半導體市場占世界市場的 50%以上，但在 IGBT 主流器件上，90%主要依賴進口，目前僅在大功率軌道交通領域實現完全國產化。從 2016 年 IGBT 全球市場份額來看，國內嘉興斯達、中國中車入榜，份額占比分別為 1.6%、0.6%。

　　中國大陸廠商積極布局、增速較快。大陸廠商在一、二代半導體材料低端市場中占據了一席之地，應用于電源、光伏、LED 照明等領域。大陸廠商揚杰科技為功率半導體 IDM 企業，為國內分立器件領域經營最優，近年來業績成長較快，2016 年歸母凈利潤增長達 47%，2017H1 增長 38.21%，公司積極研發新一代材料，目前聯合五十五所、西安電子科技大學深度合作開發 SiC，布局 SiC 市場；士蘭微為國內分立器件、集成電路 IDM 企業，2017H1分立器件產品營收同比增長 17.54%，除現有低端產品線外，公司積極布局高功率 IGBT 產品，未來軌道交通及新能源汽車放量將帶來巨大增量市場。