目前濾波的主要實現方式是SAW/BAW，以及介于兩者之間的TC-SAW。SAW濾波器（Surface Acoustic Wave）即聲表面波濾波器是利用壓電材料的壓電效應和聲特性來工作，具有壓電效應的材料能起到換能器的作用，它可以將電能轉換成機械能，反之亦然。當交變的電信號us加到發送換能器的兩個電極上時，通過反壓電效應，基片材料就會產生彈性形變，這個隨信號變化的彈性波，即“聲表面波”，它將沿著垂直于電極軸向（x方向）向兩個方向傳播，一個方向的聲表面波被左側的吸聲材料吸收，另一方向的聲表面波則傳送到接收換能器，由正壓電效應產生了電信號，再送到負載RL。

濾波器要求有極低的插入耗損以及很高的品質因素Q，但SAW濾波器采用了石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰等晶體作為壓電材料，對溫度變化敏感，性能隨著溫度升高而降低，在處理高頻信號時性能表現不佳，因此SAW適合在1.5GHz以下使用，但是當工作頻率超過1.5GHz時，SAW的Q值開始下降。TC-SAW則增加了保護涂層，降低其溫度系數，進而提高Q值，成本高于SAW，但比BAW低。

當頻率高于1.5GHz，BAW具有明顯的性能優勢

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相對而言，BAW（Bulk Acoustic Wave）Filter體聲波濾波器更適合1.5GHz以上高頻，同時具有溫度變化不敏感、插入耗損小等優點。區別于SAW，BAW濾波器內的聲波垂直傳播。BAW最基本結構是兩個金屬電極夾著壓電薄膜，聲波在壓電薄膜里震蕩形成駐波。為了擴展至高頻，BAW應用了MEMS工藝，將石英燈壓電晶體尺寸大幅縮小，壓電層材料厚度為個位數微米級別，如石英基板在2GHz條件下厚度約為2um。

SAW濾波器原理

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BAW濾波器原理

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濾波器往小尺寸以及集成化發展

SAW濾波器的技術趨勢是小型片式化、高頻寬帶化以及降低插入損耗。（1）要得到尺寸更小的SAW，可行的方法是采用先進封裝技術，如Flip Chip（倒裝）以及WLCSP（Wafer Level Chip ScalePackaging）技術。（2）高頻寬帶化方面，當壓電基材選定之后，SAW濾波器的工作頻率則由IDT電極條寬度所決定，IDT電極條愈窄，頻率愈高。因此采用半導體0.35-0.2μm級的精細加工工藝，可制作出2-3GHz的SAW濾波器，進而將SAW應用場景推廣至更高頻級別。（3）降低插入損耗方面，主要的思路是開發高性能壓電材料以及改進IDT結構，如Murata開發出ZnO/藍寶石層狀結構基片材料，可制造1.5GHz SAW濾波器，其插入損耗僅1.2dB。

與SAW相比，BAW性能更好，成本也更高，但是當頻段越來越多，甚至開始使用載波聚合的時候，就必須得用BAW技術才能解決頻段間的相互干擾問題。BAW濾波器采用半導體工藝生產，在目前國內大力推進芯片國產化，晶圓制造產能大幅提升背景下，國內SAW/BAW廠商可專注于設計，不過目前三大射頻器件廠商Skyworks、Qorvo以及博通（Avago）均為IDM，成本及質量控制方面形成較高壁壘。此外，隨著技術的演進，BAW可能會逐步替代SAW，從集成角度，濾波器/雙工器除了與PA集成外，也可與開關集成，這給開發者形成一定障礙，純粹單一器件開發已落后于器件集成，特別是集成器件在功能及性能上表現更優秀。

國產替代空間巨大

目前SAW濾波器的主要供應商是TDK-EPCOS及Murata，兩者合計占接近70%市場份額，BAW濾波器的主要供應商是博通（Avago）及Qorvo，兩者占有90%以上市場份額。國內廠商在濾波器市場上處于弱勢地位，技術實力、規模等各方面均落后，由于濾波器，特別是高端濾波器市場變化快速，是明顯的資本密集型行業，在小型化、集成化趨勢下，呈現強者恒強的局面。

SAW濾波器全球市場格局

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BAW濾波器全球市場格局

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考慮到國內智能手機出貨量在全球的龍頭地位，國內濾波器行業的弱勢與之有著鮮明的反差，但同時也表明國產替代空間非常巨大，主要契機是大廠商主力研發高頻段BAW濾波器，中低頻SAW技術進展放慢，因此國內廠商可以藉此從中低端SAW布局滲透，然后提升技術實力，爭奪高端SAW乃至BAW份額。

目前在SAW濾波器領域，國內主要廠商包括以中電二十六所、中電德清華瑩為代表的科研院所以及無錫好達電子等。國內廠商整體實力較薄弱，科研院所的產品主要面向軍用通信終端設備。