一、產(chǎn)業(yè)涉及領(lǐng)域眾多，設(shè)備投資是關(guān)鍵

　　1、集成電路生產(chǎn)工序復(fù)雜，涉及領(lǐng)域眾多

　　集成電路的主要工序包括三個(gè)環(huán)節(jié):集成電路的設(shè)計(jì)，晶圓制造加工以及封裝與測試。涉及投資額巨大、產(chǎn)業(yè)范圍廣闊。

　　二、裝備產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)薄弱，但部分核心產(chǎn)品正實(shí)現(xiàn)突破

　　1、任重而道遠(yuǎn)：基礎(chǔ)薄弱，差距明顯

　　集成電路生產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)口替代意義重大，除降低國內(nèi)新建產(chǎn)線采 購成本外，更重要的是夯實(shí)我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)，從根本上實(shí)現(xiàn)集成電 路產(chǎn)業(yè)的獨(dú)立自主。但受制于國內(nèi)薄弱的基礎(chǔ)，判斷這一進(jìn)程將 需要較長的時(shí)間周期。任重而道遠(yuǎn)。

　　全球來看，臺(tái)灣、韓國作為全球集成電路制造領(lǐng)域的龍頭，對(duì)應(yīng)年均設(shè)備支出占比最高。受益于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)投資加速，2016 年 國內(nèi)集成電路設(shè)備資本支出全球占比為 12.9%，為全球第三大設(shè)備需求市場。但盡管作為全球第三大設(shè)備市場，2016 年國內(nèi)設(shè)備企業(yè)在全 球設(shè)備市場的占有率僅為 0.5%。這從側(cè)面反映了我國國內(nèi)大部分設(shè)備投資仍以來進(jìn)口。

　　根據(jù)最新統(tǒng)計(jì)，全球58家規(guī)模以上晶圓制造設(shè)備商中，國內(nèi)企業(yè)僅有 4 家上榜，比例上僅為 7%。且規(guī)模以上企業(yè)中，與全球頂級(jí)設(shè)備商在整體規(guī)模、研發(fā)投入、員工人數(shù)以及技術(shù)積累等各方面均存在巨大差距。

　　同時(shí)，全球集成電路裝備領(lǐng)域強(qiáng)者恒強(qiáng)現(xiàn)象非常明顯。2016 年全球前五大集成電路裝備公司市占率為68%，而 TOP30 企業(yè)市占率超 過 90%；細(xì)分來看，光刻機(jī)領(lǐng)域 ASML一家市占率就超過75%，PVD 裝備領(lǐng)域龍頭 AMAT 市占率在細(xì)分領(lǐng)域市占率接近 85%。

　　我國集成電路裝備企業(yè)當(dāng)前仍然相對(duì)弱小，要想在強(qiáng)者恒強(qiáng)的集成電路裝備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破甚至形成超越，任重而道遠(yuǎn)。

2016 年全球集成電路裝備行業(yè)市場高度集中

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

全球集成電路裝備細(xì)分市場一家獨(dú)大現(xiàn)象非常明顯

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　　2、曙光初現(xiàn)：部分核心產(chǎn)品正實(shí)現(xiàn)突破

　　在刻蝕和 PVD 等核心設(shè)備實(shí)現(xiàn)零的突破并在比例上快速上升的同時(shí)，國產(chǎn)集成電路裝備正向 14nm 制程生產(chǎn)線進(jìn)行突破，且北方華創(chuàng)等企業(yè)在硅刻蝕、退火、清洗和 PVD 等領(lǐng)域均已進(jìn)入實(shí)際驗(yàn)證。

國產(chǎn)集成電路刻蝕和 PVD 等設(shè)備正實(shí)現(xiàn)突破

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

　　在2020年之前，90~32 納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到 50%，實(shí)現(xiàn)90納米光刻機(jī)國產(chǎn)化，封測關(guān)鍵設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到 50%。在 2025 年之前，20～14 納米工藝設(shè)備國產(chǎn)化率達(dá)到 30%，實(shí)現(xiàn)浸沒式光刻機(jī)國產(chǎn)化。 到 2030 年，實(shí)現(xiàn)18英寸工藝設(shè)備、EUV光刻機(jī)、封測設(shè)備的國產(chǎn)化。